浙商参考
浙江民企巨资建首个相变存储芯片制造基地
时间:2014-03-13 11:16:20信息来源:不详点击:1838次【 加入收藏 】【 字体:大 中 小 】
日前,宁波时代全芯PCM芯片建设项目在宁波鄞州工业园区奠基。这是国内首个相变存储芯片制造基地。也就是说,不久后的未来,中国首个拥有自立知识产权的存储芯片将在这里制造生产。

  据介绍,相变存储,是继内存、闪存之后的新一代数据存储技术,可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台。相变存储芯片的读写寿命高达1000多万次,可以存得更稳固,更安全,更节省空间。据说,全球搜索巨头谷歌的重大数据信息,存储在美国面积达3个足球场大小的存储器里,而假如悉数用新一代存储技术——相变存储技术,只需20平方米的存储器就可以搞定。2013年11月,浙江一民企自立研发的55纳米相变存储芯片正式问世。此前,只有美国美光和韩国三星两家企业将这项技术投入量产。

  宁波时代全芯科技有限公司负责人透露表现,宁波时代全芯PCM芯片建设项目一期总投资为1.5亿美金,计划5年后启动二期项目,总投资超过20亿美元。(每日商报)

(编辑:zhangwh)
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